特許
J-GLOBAL ID：200903060553413727
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-122960
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306915
出願日： 1996年05月17日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 化学機械研磨によってCu溝配線を形成する際に生じる欠陥を低減することにより、高信頼性のCu配線を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板1上のシリコン酸化膜2に配線溝3を形成した後、スパッタ法を用いてバリアメタルとしてのTiN膜4及びCu膜5を堆積し、リフローによって配線溝3内にCu膜5を充填する。その後、化学機械研磨によって上記の配線溝3内以外のCu膜5を除去し、さらに水素雰囲気中で熱処理を行いCu配線中の欠陥を低減する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部内を含む前記絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜よりも硬い研磨粒子を用いた化学機械研磨によって前記開口部内以外の前記導電膜を除去する工程と、その後還元性雰囲気中で熱処理を行う工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
H01L 21/88 K
, H01L 21/304 321 M
, H01L 21/304 321 S
