特許
J-GLOBAL ID：200903060587437862

半導体装置およびその製造方法

発明者：
秋山 和隆

秋山 和隆 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-309871
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146597
出願日： 2002年10月24日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】パッド部における配線同士の密着性および配線間の導電性の向上が図られ、信頼性を向上された半導体装置を提供する。【解決手段】Si基板1上に設けられたSiO2膜2の上面から内部にかけて、Cuダマシン配線6およびそのパッド部6aが設けられている。Cuダマシン配線6のパッド部6aの上方で、SiO2膜2およびCuダマシン配線6の上に設けられたSiO2膜8の上面から露出して、Alデュアルダマシン配線12aが設けられている。Alデュアルダマシン配線12aの下面からCuダマシン配線6のパッド部6aの内部に達してコンタクトプラグ12bが設けられている。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた第1の絶縁膜の上面から内部にかけて設けられた第1の配線およびそのパッド部と、 前記第1の絶縁膜および前記第1の配線上に設けられた第2の絶縁膜と、 前記第1の配線のパッド部の上方で前記第2の絶縁膜の上面から露出して設けられた第2の配線と、 前記第2の配線の下面から前記第1の配線のパッド部の内部に達して設けられたコンタクトプラグと、 を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L21/3205 ,  H01L21/60
FI (2件)：
H01L21/88 T ,  H01L21/60 301P
Fターム (41件)：
5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN13 ,  5F033NN16 ,  5F033NN33 ,  5F033NN34 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033VV07 ,  5F033XX05 ,  5F033XX09 ,  5F033XX13 ,  5F033XX28 ,  5F044EE06 ,  5F044EE21
引用特許：
審査官引用 (6件)
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