特許
J-GLOBAL ID：200903060604314419
シリコンウエハの熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
木下 茂
, 石村 理恵
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-319744
公開番号（公開出願番号）：特開2008-182203
出願日： 2007年12月11日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：
【課題】1100°C以上の高温熱処理によって原子レベルで平坦化されたシリコンウエハの表面について、前記シリコンウエハの表面のステップ・テラス構造を保持したまま、ウエハの表面粗さ(マイクロラフネス)を従来よりも低減化させ、かつ、このようなウエハの表面を安定的に形成することができるシリコンウエハの熱処理方法を提供する。【解決手段】シリコンウエハの表面にステップ・テラス構造を形成するシリコンウエハの熱処理方法において、シリコンウエハを、還元性ガスまたは不活性ガス雰囲気の熱処理炉内で、1100°C以上で熱処理した後、降温時に炉内温度が500°C以上の段階で炉内雰囲気をアルゴンガスとし、シリコンウエハを炉出しするまでアルゴンガスを炉内に導入し続けることにより、前記シリコンウエハの表面のステップ・テラス構造を保持し、かつ、3μm×3μm当たりの2乗平均粗さRmsが0.06nm以下となるようにする。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
シリコンウエハの表面にステップ・テラス構造を形成するシリコンウエハの熱処理方法において、シリコンウエハを、還元性ガスまたは不活性ガス雰囲気の熱処理炉内で、1100°C以上で熱処理した後、降温時に炉内温度が500°C以上の段階で炉内雰囲気をアルゴンガスとし、シリコンウエハを炉出しするまでアルゴンガスを炉内に導入し続けることにより、前記シリコンウエハの表面のステップ・テラス構造を保持し、かつ、3μm×3μm当たりの2乗平均粗さRmsが0.06nm以下となるようにすることを特徴とするシリコンウエハの熱処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/02 B
, H01L21/324 Z
