特許
J-GLOBAL ID：200903094785813383

アニールウエーハの製造方法

発明者：
小林 武史

小林 武史 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-292539
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064254
出願日： 2003年08月12日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】アニールウエーハの製造において効率的に熱処理を行ないアニールウエーハの生産性を向上させるウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】アニールウエーハの製造方法であって、少なくとも、インゴット状態のシリコン単結晶に熱処理を行なう第1の熱処理工程と、前記熱処理したインゴットをウエーハに加工するウエーハ加工工程と、前記ウエーハを熱処理する第2の熱処理工程を有することを特徴とするアニールウエーハの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
アニールウエーハの製造方法であって、少なくとも、インゴット状態のシリコン単結晶に熱処理を行なう第1の熱処理工程と、前記熱処理したインゴットをウエーハに加工するウエーハ加工工程と、前記ウエーハを熱処理する第2の熱処理工程を有することを特徴とするアニールウエーハの製造方法。
IPC (1件)：
H01L21/322
FI (1件)：
H01L21/322 Y
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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