特許
J-GLOBAL ID：200903060626654515
半導体単結晶におけるエッチピット密度の測定方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
上田 章三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-236910
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068519
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体単結晶における結晶面の平坦度に左右されずにエッチピット密度を正確に測定できるエッチピット密度の測定方法を提供すること。【解決手段】 エッチング処理された結晶面の拡大フルカラー画像を得る工程、上記フルカラー画像を色分解して赤、緑、青の色分解画像を得る工程、各色分解画像を構成する各画素群から閾値となる基準濃度より高若しくは低い濃度を有する画素を抽出して各色分解画像を二値化画像にそれぞれ変換する工程、変換された各二値化画像中に含まれる独立図形をそれぞれ数える工程、得られた独立図形数の内その最小値をエッチピット数としこのエッチピット数からエッチピツト密度を求める工程の各工程を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶の結晶面をエッチング処理してエッチピットを形成しかつ上記結晶面の拡大画像からエッチピツト密度を測定する半導体単結晶におけるエッチピット密度の測定方法において、エッチング処理された結晶面の拡大フルカラー画像を得る工程と、得られたフルカラー画像を色分解して赤、緑、青の色分解画像を得る工程と、赤、緑、青の各色分解画像を構成する各画素群から閾値となる基準濃度より高若しくは低い濃度を有する画素を抽出して各色分解画像を二値化画像にそれぞれ変換する工程と、変換された各二値化画像中に含まれる独立図形をそれぞれ数える工程と、各二値化画像中における独立図形数の内その最小値をエッチピット数としこのエッチピット数からエッチピツト密度を求める工程、の各工程を有することを特徴とする半導体単結晶におけるエッチピット密度の測定方法。
Fターム (8件)：
4M106AA01
, 4M106AA10
, 4M106BA12
, 4M106CB20
, 4M106DH12
, 4M106DH50
, 4M106DJ11
, 4M106DJ14
