特許
J-GLOBAL ID:200903060674862880

薄膜インダクタ及びそれを利用した電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梶原 康稔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-155682
公開番号(公開出願番号):特開2003-347123
出願日: 2002年05月29日
公開日(公表日): 2003年12月05日
要約:
【要約】【課題】 実装面積を縮小するとともに、磁束を有効活用して高効率化を図る。【解決手段】 薄膜インダクタ10は、基板12上に、層間絶縁膜16,下部磁性薄膜18,層間絶縁膜20,第1層導体パターン22,層間絶縁膜26,第2層導体パターン28,層間絶縁膜32,上部磁性薄膜34が積層された構造となっている。上下の磁性薄膜18,34は、ナノスケールのグラニュラ膜よりなる。また、前記第1層及び第2層の導体パターン22,28は略中央部で接続されている。磁性薄膜を使用することにより、単位配線長あたりのインダクタンス値を増大させることができるとともに、磁性薄膜内に磁束が集中するため、磁束漏れを抑制してインダクタンス素子として高効率化が可能となる。また、配線を2層構造とすることにより、単層構造の場合と比較して、更に占有面積を縮小することができる。
請求項(抜粋):
磁性粒子が絶縁体に包み込まれたグラニュラ膜を利用し、基板上に少なくとも絶縁層を介して形成された薄膜インダクタであって、導体パターンでスパイラル型に形成された平面コイルを、絶縁膜を介して複数積層するとともに、該複数の平面コイル間を接続した積層コイル,該積層コイルの上方又は下方の主面の少なくとも一方に前記絶縁膜を介して設けられており、前記グラニュラ膜よりなる磁性薄膜,を備えたことを特徴とする薄膜インダクタ。
Fターム (2件):
5E070AA01 ,  5E070CB12
引用特許:
審査官引用 (7件)
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