特許
J-GLOBAL ID:200903060742673462
EL表示装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
芝野 正雅
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-277104
公開番号(公開出願番号):特開2001-100663
出願日: 1999年09月29日
公開日(公表日): 2001年04月13日
要約:
【要約】【課題】 ゲートラインGLとドレインラインDLの交差部、ゲートラインGLと駆動ラインVLの交差部、保持容量ラインCLとドレインラインDLの交差部、保持容量ラインCLと駆動ラインVLの交差部に発生する短絡、耐電圧特性の低下を防止する。【解決手段】 ゲートラインGLとドレインラインDLの交差部、ゲートラインGLと駆動ラインVLの交差部、保持容量ラインCLとドレインラインDLの交差部、保持容量ラインCLと駆動ラインVLの交差部に半導体層(交差保護膜F1、F2、F3、F4)を挿入する。特にこの交差部CR1〜CR4に対応する部分には、不純物を導入せず抵抗値を高くする。また交差保護膜は、交差部CR1から交差部CR2まで一体で延在され、交差部CR3から交差部CR4も一体延在される。
請求項(抜粋):
EL素子と、前記EL素子を駆動する薄膜トランジスタとを表示画素毎に有し、前記表示画素を囲むように格子状に配置され、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された第1のラインおよび第2のラインとを有するEL表示装置に於いて、前記第1のラインと前記第2のラインの交差部には、半導体膜が挿入されていることを特徴とするEL表示装置。
IPC (3件):
G09F 9/30 365
, G09F 9/30 338
, H05B 33/14
FI (3件):
G09F 9/30 365 Z
, G09F 9/30 338
, H05B 33/14 A
Fターム (20件):
3K007AB05
, 3K007AB13
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007BB01
, 3K007BB07
, 3K007CA03
, 3K007CB01
, 3K007DA00
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 5C094AA21
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094CA19
, 5C094DA09
, 5C094EA05
, 5C094EB02
, 5C094FB01
, 5C094HA08
引用特許:
出願人引用 (10件)
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表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-177455
出願人:セイコーエプソン株式会社
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薄膜半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-212717
出願人:ソニー株式会社
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特開平1-134342
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特開昭63-026689
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特開昭61-003459
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EL表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-282527
出願人:カシオ計算機株式会社
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薄膜デバイスおよびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-144135
出願人:株式会社日立製作所
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アクティブマトリクス基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-106510
出願人:シャープ株式会社
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特開昭52-064891
-
特開昭64-035529
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審査官引用 (11件)
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表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-177455
出願人:セイコーエプソン株式会社
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EL表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-282527
出願人:カシオ計算機株式会社
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薄膜半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-212717
出願人:ソニー株式会社
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特開平1-134342
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薄膜デバイスおよびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-144135
出願人:株式会社日立製作所
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アクティブマトリクス基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-106510
出願人:シャープ株式会社
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特開昭63-026689
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特開昭52-064891
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特開昭61-003459
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特開昭64-035529
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特開昭63-026689
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