特許
J-GLOBAL ID：200903060773282631
メモリーカードの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-277906
公開番号（公開出願番号）：特開2003-080552
出願日： 2001年09月13日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：
【要約】【課題】 メモリーカード内部において基板が位置ずれしないと共に、基板等の変形・破損を防止することができるメモリーカードの製造方法を提供する。【解決手段】 電子部品2が実装された基板1を内蔵するメモリーカードAを製造する方法に関する。電子部品2が実装された基板1を成形金型3の一方の割り型3bに設けたコアブロック7に載置すると共に成形金型3を型締めする。次いで、溶融状態の樹脂8を基板1と他方の割り型3aとの間のキャビティ4に注入すると共に、その注入圧力で基板1をコアブロック7に押さえ付けながら樹脂8をこのキャビティ4に充填する。次にコアブロック7を基板1から離間させた後、コアブロック7と基板1との間の隙間14に再度溶融状態の樹脂8を注入すると共に、その注入圧力で基板1を他方の割り型3aの側に押さえ付けながら樹脂8をこの隙間14に充填して成形する。
請求項（抜粋）：
電子部品が実装された基板を内蔵するメモリーカードを製造するにあたって、電子部品が実装された基板を成形金型の一方の割り型に設けたコアブロックに載置すると共に成形金型を型締めし、次いで、溶融状態の樹脂を基板と他方の割り型との間のキャビティに注入すると共に、その注入圧力で基板をコアブロックに押さえ付けながら樹脂をこのキャビティに充填し、次にコアブロックを基板から離間させた後、コアブロックと基板との間の隙間に再度溶融状態の樹脂を注入すると共に、その注入圧力で基板を他方の割り型の側に押さえ付けながら樹脂をこの隙間に充填して成形することを特徴とするメモリーカードの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
4F206AH37
, 4F206AM32
, 4F206JA07
, 4F206JB17
, 4F206JQ81
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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