特許
J-GLOBAL ID：200903060787971227

半導体装置およびその作製方法

発明者：
桑原 秀明

桑原 秀明 について

, 
山本 裕子

山本 裕子 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-012162
公開番号（公開出願番号）：特開2006-229212
出願日： 2006年01月20日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリント技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形状となりやすかった。【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する1つの開口を形成するのではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の導電層と、 複数の貫通した開口を有し、且つ前記第1の導電層を覆う絶縁膜と、 前記複数の貫通した開口を介して前記第1の導電層と接触する第2の導電層とを有し、 前記第2の導電層は、導電性粒子を含み、 前記複数の貫通した開口と重なる第2の導電層の表面と、前記複数の貫通した開口と重ならない第2の導電層の表面とが同一面に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/768 ,  H01L 29/786 ,  H01L 23/522 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50
FI (5件)：
H01L21/90 A ,  H01L29/78 612C ,  H01L21/90 B ,  G02F1/136 ,  H05B33/14 A
Fターム (116件)：
2H092GA11 ,  2H092GA31 ,  2H092HA01 ,  2H092HA11 ,  2H092JA24 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB21 ,  2H092MA01 ,  2H092NA27 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH19 ,  5F033HH31 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ31 ,  5F033JJ35 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK31 ,  5F033KK35 ,  5F033KK38 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033NN34 ,  5F033PP26 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ83 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033VV15 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL22 ,  5F110HM02 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ21
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 米国特許第4861964号
  • 米国特許第5708252号
  • 米国特許第6149988号
審査官引用 (7件)
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