特許
J-GLOBAL ID：200903060790873503
マルチチップ半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-310513
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127244
出願日： 1999年11月01日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 2個の半導体チップを上下に重ねるマルチチップパッケージの製造工程におけるワイヤボンディング時において、チップの固定を十分にし、超音波による合金形成促進作用を有効に作用させるようにして、高いボンディング信頼性を得ることを可能にする。【解決手段】 リードフレームのアイランド11部分に下部側チップ14bを設置するための開口12を設ける。上部側チップ14aを、接着材を介してアイランド11に開口12を橋渡しした状態にて固定し、ワイヤボンディングを行う。下部側チップ14bをアイランドの開口12に嵌め込み、接着材を介して上部側チップ14aに固定して、下部側チップ14bに対してワイヤボンディングを行う(a),(b)。トランスファモールド法によりモールド樹脂17を形成する(c)。
請求項（抜粋）：
少なくとも一方の平面形状が長方形の2個の半導体チップが能動素子面を上側にして積層されてリードフレーム若しくは配線基板に実装されているマルチチップ半導体装置において、前記リードフレームのアイランド若しくは前記配線基板には平面形状が方形の開口若しくは凹部が形成され、上部側チップは前記開口若しくは前記凹部を橋渡ししてアイランド若しくは配線基板上に搭載され、下部側チップは前記開口内若しくは前記凹部内に配置されると共に上部側チップの裏面に接着されていることを特徴とするマルチチップ半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
