特許
J-GLOBAL ID：200903060800035714

有機強誘電メモリーセル

発明者：
バオミン シュ

バオミン シュ について


出願人/特許権者：
ゼロックス・コーポレーション

ゼロックス・コーポレーション について


代理人 (9件)： 中村 稔 ,  大塚 文昭 ,  熊倉 禎男 ,  宍戸 嘉一 ,  今城 俊夫 ,  小川 信夫 ,  村社 厚夫 ,  西島 孝喜 ,  箱田 篤
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-178256
公開番号（公開出願番号）：特開2004-040094
出願日： 2003年06月23日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】優れた特性を有するメモリーセルを提供することにある。【解決手段】a)二つの対向面を有する有機半導体、b)有機半導体の一つの面と接触する二つの隔置された電極(その間の距離はチャンネル長さであり、その間の有機半導体の部分はチャンネル領域として形成される)、c)誘電率及び二つの対向面を有する強誘電ポリマー(一つの面はチャンネル領域の少なくとも一部について有機半導体の一つの面と接触している)、及びd)チャンネル領域の少なくとも一部について強誘電ポリマーの一つの面と接触しているゲート電極を含むことを特徴とするメモリーセル。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
a)二つの対向面を有する有機半導体、 b)有機半導体の一つの面と接触する二つの隔置された電極であって、その間の距離はチャンネル長さであり、その間の有機半導体の部分はチャンネル領域として画定される電極、 c)誘電率及び二つの対向面を有する強誘電ポリマーであって、一つの面はチャンネル領域の少なくとも一部についての有機半導体の一つの面と接触している強誘電ポリマー、及び d)チャンネル領域の少なくとも一部についての強誘電ポリマーの一つの面と接触しているゲート電極 を含むことを特徴とするメモリーセル。
IPC (4件)：
H01L27/105 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (2件)：
H01L27/10 444A ,  H01L29/78 371
Fターム (8件)：
5F083FR05 ,  5F083FR07 ,  5F083FZ07 ,  5F083JA01 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F101BA62
引用特許：
審査官引用 (5件)
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