特許
J-GLOBAL ID：200903060822785083

マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器

発明者：
四谷 真一

四谷 真一 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-287019
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100452
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 高精細なマスク及びその製造方法、EL装置及びその製造方法並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】 マスクは、表裏面がミラー指数の{110}面からなる単結晶基板10を有する。単結晶基板10には、複数の貫通穴18が形成されている。それぞれの貫通穴18の開口形状は、各辺が、{111}で表されるグループの面のうちいずれかの面に平行に位置する多角形である。それぞれの貫通穴18の壁面は、{111}面である。マスクの製造方法は、上記貫通穴18の形状に対応して、耐エッチング膜に開口を形成して、単結晶基板10をエッチングする。
請求項（抜粋）：
単結晶基板においてミラー指数の{110}で表される表面に、各辺が{111}で表されるグループの面のうちいずれかの面に平行に位置する多角形をなす複数の開口が形成された耐エッチング膜を形成し、エッチングによって、前記開口内において、前記単結晶基板に複数の貫通穴を形成することを含み、前記エッチングは、{111}面に対するエッチング速度が、{100}面及び{110}面に対するエッチング速度よりも遅いという結晶の面方位依存性があるマスクの製造方法。
IPC (4件)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14 ,  C23C 14/04
FI (4件)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 A ,  C23C 14/04 A
Fターム (5件)：
3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  4K029BD00 ,  4K029HA01 ,  4K029HA02
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM