エッジポリッシング装置及びその方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：塚原孝和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-135809
公開番号（公開出願番号）：特開平10-309666
出願日： 1997年05月09日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】シリコンウエハ等の表面に親水性の酸化膜を形成して、ウエハ表面のシミ,汚れや傷付きを防止すると共に、ウエハをドライ状態で保管可能なエッジポリッシング装置及びその方法を提供する。【解決手段】カセット10に収納されたドライ状態のシリコンウエハWを搬送部1のロボット12で取り出し、酸化膜形成部2に搬送して、酸化水槽20内のオゾン水21内に浸し、シリコンウエハW表面に親水性の酸化膜を形成する。このシリコンウエハWを洗浄器28の純水シャワー29で洗浄した後、搬送部3のロボット32でエッジポリッシング部4に搬送し、研磨ドラム41でシリコンウエハWのエッジを鏡面加工する。そして、シリコンウエハWを洗浄部5の一対のブラシ51でブラッシングしながら純水シャワー53で洗浄し、洗浄したシリコンウエハWを搬送部6のロボット60で乾燥部7に搬送した後、シリコンウエハWをドライ状態でカセット79に収納する。

請求項（抜粋）：

エッジが面取りされたウエハの表面を親水性の酸化膜で覆う酸化膜形成部と、上記酸化膜で覆われたウエハのエッジを鏡面加工するエッジポリッシング部と、を具備することを特徴とするエッジポリッシング装置。

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体シリコンエピタキシャル基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-282550 出願人：信越半導体株式会社
特開平3-228328
オゾン酸化法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-182129 出願人：セイコーエプソン株式会社

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