特許
J-GLOBAL ID：200903060865422715
基板処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-093622
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284316
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 基板をエッチング液に浸漬する処理において、処理終了後の基板に付着するパーティクルの数を少なくした清浄度の高い基板処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】 処理槽10の液体供給口12へ脱気されたオゾン水を供給し、基板Wの表面に清浄な自然酸化膜が形成され、液中に基板を浸漬したままで、HF水溶液を供給し、汚染物がエッチング除去し、引き続き、純水を流入させて純水リンスするが、その途中で、基板Wの全体が純水の液面上方へ出るまで昇降機40を上昇させてから、再び基板Wの全体が純水に浸漬するまで下降させ、基板Wの表面からパーティクルが効率良く離れる。最後に、基板Wを乾燥する乾燥工程を行なう。
請求項（抜粋）：
基板を酸化させる成分を含む液に浸漬して基板表面に酸化膜を形成する酸化工程と、前記酸化膜が形成された基板をエッチング液に浸漬するして基板をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程後の基板を水洗水に浸漬することによって、エッチング液を洗い流すエッチング後リンス工程とを備える基板処理方法であって、前記酸化工程とエッチング工程の間は基板が終始液中に浸漬した状態にあって、かつ、前記エッチング工程の後、前記エッチング後リンス工程が終了するまでの間に、少なくとも一度以上は、基板が気液界面を通過するようにしたことを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/304 641
H01L 21/304 641
, H01L 21/306 D
5F043AA31
, 5F043BB22
, 5F043DD30
, 5F043EE35
, 5F043EE36
, 5F043GG10
