貼り合わせSOI基板の製造方法および貼り合わせSOI基板

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-186516
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032038
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】その世代の技術では製造不可能な大口径の単結晶ウェーハと同等以上の直径を有する貼り合わせSOI基板の製造方法を提供する。【構成】大口径の石英るつぼを用いて多結晶シリコンを溶解し、これを冷却して得られた多結晶シリコンロッドをスライスし、鏡面研磨を施して支持基板5とする。また、CZ法で育成した単結晶シリコンロッドの結晶方位が〈111〉の場合は、これを正六角柱に加工した後、スライス、鏡面研磨して単結晶シリコンウェーハ7とする。このウェーハ7を酸化処理し、前記支持基板5に隙間なく貼り合わせて、SOI基板を構成する。その後、前記ウェーハ7の上面を所定の厚さに研磨する。支持基板にガラス、セラミックスなどを用いてもよい。なお、単結晶シリコンウェーハ7の周辺に正三角形に加工した単結晶シリコンウェーハ8を貼り合わせることによって、支持基板5の面積を有効に活用することができる。

請求項（抜粋）：

鏡面加工ならびに酸化処理を行った特定の形状の無転位単結晶シリコンウェーハを、鏡面加工を施した大口径の多結晶シリコン、ガラス、セラミックスまたは金属からなる支持基板に貼り合わせた後、前記無転位単結晶シリコンウェーハを所定の厚さに研磨することを特徴とする貼り合わせSOI基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/12 , H01L 21/304 321

引用特許：

審査官引用 (8件)

液晶表示用大型基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-175425 出願人：シャープ株式会社
特開昭64-061943
半導体装置及び製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-310415 出願人：株式会社日立製作所

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