特許
J-GLOBAL ID：200903060910760791

単結晶成長方法

発明者：
山本 洋一

山本 洋一 について

, 
近藤 総一郎

近藤 総一郎 について


出願人/特許権者：
三菱住友シリコン株式会社

三菱住友シリコン株式会社 について


代理人 (2件)： 柳舘 隆彦 ,  吉田 正二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-361075
公開番号（公開出願番号）：特開2004-189557
出願日： 2002年12月12日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】鞍型コイルを用いたHMCZ法において問題となる引上げ中の結晶径の急増現象を阻止して、安定な結晶引上げを可能にする。【解決手段】坩堝を挟んで対向配置され、チャンバの外形に沿って湾曲した鞍型のコイルにより、チャンバ内の坩堝に収容された原料融液に水平磁場を印加する。予め、結晶径の急増現象が発生する坩堝回転数を、坩堝内の融液量の変化に対応させて求める。結晶引上げの全期間を通し、この坩堝回転数を避けるパターンで坩堝回転数を制御する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
坩堝を挟んで対向配置され、チャンバの外形に沿って湾曲した鞍型形状のコイルにより、前記坩堝内の原料融液に水平磁場を印加しつつ、前記原料融液から単結晶を引上げる単結晶成長方法において、予め、結晶径の急増が発生するときの坩堝回転数を坩堝内の融液量に対応させて求めておき、結晶引上げの進行に伴う融液量の減少に応じて、結晶径の急増が発生しない坩堝回転数を選択することを特徴とする単結晶成長方法。
IPC (2件)：
C30B15/20 ,  C30B29/06
FI (3件)：
C30B15/20 ,  C30B29/06 502G ,  C30B29/06 502J
Fターム (7件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH08 ,  4G077EJ02 ,  4G077HA12 ,  4G077PF55
引用特許：
審査官引用 (3件)

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