特許
J-GLOBAL ID：200903015785623013
シリコン単結晶の製造方法ならびにこの方法で製造された単結晶およびシリコンウエーハ
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071205
公開番号（公開出願番号）：特開2000-264784
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
要約：
【要約】【課題】 横磁場を印加するCZ法において、成長単結晶の成長方向の格子間酸素濃度の均一性が高いシリコン単結晶棒を高生産性、高歩留りで育成できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 石英ルツボ内のシリコン融液から単結晶を引上げるに際し、該石英ルツボ内の融液に結晶成長軸と垂直方向の磁場を印加しながら単結晶棒を成長させるシリコン単結晶の製造方法において、ルツボ内のシリコン融液表面に発生する高温部と低温部の内、いずれか一方が常に結晶成長の固液界面に位置するようにして結晶成長を行うことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
請求項（抜粋）：
石英ルツボ内のシリコン融液から単結晶を引上げるに際し、該石英ルツボ内の融液に結晶成長軸と垂直方向の磁場を印加しながら単結晶棒を成長させるシリコン単結晶の製造方法において、ルツボ内のシリコン融液表面に発生する高温部と低温部の内、いずれか一方が常に結晶成長の固液界面に位置するようにして結晶成長を行うことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
Fターム (7件)：
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EJ02
, 4G077PF02
, 4G077PF09
, 4G077PF53
