特許
J-GLOBAL ID：200903060920356778

半導体発光ダイオード及びその製造方法

発明者：
趙 濟 煕

趙 濟 煕 について

, 
金 顯 秀

金 顯 秀 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-113209
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327980
出願日： 2004年04月07日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】 半導体発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板、この基板上に順次に設けられたn型半導体層、活性層、p型半導体層、p型半導体層上に形成される第1金属層とこの第1金属層上に形成されて活性層から発生した光を反射させる第2金属層とを備えるp型電極と、を含む半導体発光ダイオードである。本発明による半導体発光ダイオードによれば、p型半導体層との接触抵抗が低いと同時に光反射率が高いp型電極を備えることによって動作電圧を低め、かつ光抽出効率を高めうる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に順次に設けられたn型半導体層、活性層、p型半導体層と、 前記p型半導体層上に形成される第1金属層と、前記第1金属層上に形成されて前記活性層から発生した光を反射させる第2金属層とを備えるp型電極と、を含む半導体発光ダイオード。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (12件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CA94 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11 ,  5F041FF14
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許6,486,499号明細書
審査官引用 (6件)
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