特許

J-GLOBAL ID：200903095609740686

窒化物半導体へのP型オーム性接合形成方法

発明者： 牧本 俊樹 ,  熊倉 一英 ,  小林 直樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 道夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-367869
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170990
出願日： 2000年12月04日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】 加工プロセスを行うとp型窒化物半導体の表面はダメージを受けるため、良好なオーム性接合を形成することが困難であった。【解決手段】 (a)加工プロセスによってダメージを受けたp型GaN1にPd3を蒸着しただけでは、Pd3と接触するp型GaN1の界面に多数の欠陥が存在する欠陥層2が生成される。従って、良好なオーム性接合を形成することができない。(b)これを500°C程度で熱処理を行うと、Pd3がp型GaN1内に拡散し、p型GaN1とPd3の間には金属の性質を示すPdGa化合物4がp型GaN1の内部に形成される。Pd3と接触するp型GaN1の界面には欠陥が存在しなくなり、良好なオーミック特性が得られるようになる。(c)さらに、熱処理温度を高くすると、PdGa4が破壊されて、Pd3がさらにp型GaN1中に拡散するので、p型GaN1中に欠陥が生成するので、オーミック特性が劣化する。

請求項（抜粋）：

表面に加工プロセスによってダメージを受けたp型窒化物半導体にPdGa又はPtGaの金属化合物を形成する工程を特徴とする窒化物半導体へのP型オーム性接合形成方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/737 ,  H01L 21/331

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 29/72 H

Fターム (23件)：

4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD79 ,  4M104DD83 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104GG06 ,  4M104HH15 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BH05 ,  5F003BM03 ,  5F003BP12 ,  5F003BP41 ,  5F041AA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA84 ,  5F041CA98

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 3族窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-241384   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• III族窒化物半導体発光素子製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-322992   出願人：パイオニア株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法及び素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-365123   出願人：豊田合成株式会社
• GaN系化合物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-108673   出願人：シャープ株式会社