特許
J-GLOBAL ID：200903060922612666
SiC半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (10件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-171808
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353771
出願日： 2004年06月09日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 平滑な表面を維持したまま高い活性化率を実現するSiC半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 表面が平滑化されているSiC層であるn型ドリフト層2の一部にアルミニウムイオン5を打ち込んで、イオン注入層6を形成する。n型ドリフト層2及びイオン注入層6の上に、スパッタ法によりカーボン膜7を形成し、カーボン膜7でn型ドリフト層2及びイオン注入層6を覆った状態で、活性化アニールを行なって、イオン注入層6をp型ウェル領域8に変化させる。その後、カーボン膜7を除去すると、活性化アニール前の状態とほとんど変わらない平滑な表面を有するSiC層が得られる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
SiC層内に不純物イオンを注入してイオン注入層を形成する工程(a)と、
スパッタ法により、上記イオン注入層を覆うカーボン膜を形成する工程(b)と、
上記カーボン膜により上記イオン注入層を覆った状態で、SiC層を1600°C以上の温度下でアニールする工程(c)と
を含むSiC半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/265 602A
, H01L29/16
