特許
J-GLOBAL ID：200903060922926946

半導体装置

発明者：
松本 拓治

松本 拓治 について

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一法師 隆志

一法師 隆志 について

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岩松 俊明

岩松 俊明 について

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平野 有一

平野 有一 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-295234
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241755
出願日： 2003年08月19日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：
【課題】 接合容量の増加等の弊害を伴わずに分離耐圧の低下を適切に回避し得る、半導体装置及びその製造方法を得る。【解決手段】 凹部14を形成することによってシリコン層3が予め薄膜化された後に、不純物導入領域11が形成される。従って、素子分離絶縁膜5の底面とBOX層2の上面との間に位置している部分のp型のシリコン層3内に、n型の不純物が注入されないため、分離耐圧が低下することを回避できる。しかも、不純物導入領域11はBOX層2の上面に到達して形成されるため、ソース・ドレイン領域12の接合容量が増加することもない。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板、絶縁層、及び第1導電型の半導体層がこの順に積層された構造を有するSOI基板と、 前記半導体層の主面内に部分的に形成され、前記絶縁層とによって前記半導体層の一部を挟む底面を有する素子分離絶縁膜と、 前記素子分離絶縁膜によって規定される素子形成領域内において、前記半導体層の前記主面上に部分的に形成されたゲート構造と、 前記素子形成領域内において、前記ゲート構造から露出している部分の前記半導体層の前記主面内に形成され、前記ゲート構造の下方のチャネル形成領域を挟んで対を成す凹部と、 前記凹部の底面内に形成され、前記チャネル形成領域を挟んで対を成し、その底面又はその空乏層が前記絶縁層に到達し、前記第1導電型とは異なる第2導電型のソース・ドレイン領域と を備える、半導体装置。
IPC (9件)：
H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092
FI (12件)：
H01L29/78 621 ,  H01L27/08 331A ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 613A ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 102B ,  H01L21/76 D ,  H01L21/76 L
Fターム (78件)：
5F032AA03 ,  5F032AA14 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032BA06 ,  5F032BB06 ,  5F032CA17 ,  5F032DA63 ,  5F032DA77 ,  5F048AA03 ,  5F048AA04 ,  5F048AA05 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB03 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BC16 ,  5F048BC19 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA19 ,  5F048DA23 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE41 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF12 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG28 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ22 ,  5F110HK05 ,  5F110HK34 ,  5F110HK40 ,  5F110HM02 ,  5F110HM03 ,  5F110HM07 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ04
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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