特許

J-GLOBAL ID：200903060928896305

CVD装置

発明者： 高島 稔 ,  平谷 多津彦
出願人/特許権者： JFEスチール株式会社
代理人 (3件)： 杉村 興作 ,  藤谷 史朗 ,  来間 清志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-179849
公開番号（公開出願番号）：特開2008-007822
出願日： 2006年06月29日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】CVD処理に際し、基材表面での疵発生や基材の塑性変形・破断などを生じることなしに、帯材や線材に対して高い生産性の下でCVD処理を施すことができるCVD装置を提供する。【解決手段】懸垂した基材の自重を支える一対の支持体を備え、この懸垂した基材に対してCVD処理を施すCVD炉を該支持体対の間に配置する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

懸垂した基材の自重を支える一対の支持体を備え、この懸垂した基材に対してCVD処理を施すCVD炉を該支持体対の間に配置することを特徴とするCVD装置。

IPC (1件)：

C23C 16/458

FI (1件)：

C23C16/458

Fターム (8件)：

4K030AA03 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030CA02 ,  4K030CA13 ,  4K030FA10 ,  4K030GA01 ,  4K030GA14

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 鋼帯の連続浸珪処理設備
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-152913   出願人：日本鋼管株式会社
• 金属ストリップの連続式化学蒸着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-068684   出願人：JFEスチール株式会社, スチールプランテック株式会社

審査官引用 (1件)

• 薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-334522   出願人：株式会社富士電機総合研究所