特許
J-GLOBAL ID：200903060952485774

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者：
長谷部 一秀

長谷部 一秀 について

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岡田 充弘

岡田 充弘 について

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金 採虎

金 採虎 について

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李 丙勲

李 丙勲 について

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周 保華

周 保華 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-004192
公開番号（公開出願番号）：特開2006-287195
出願日： 2006年01月11日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：
【課題】薄膜中の元素の組成比を均一化させることが可能な成膜装置を提供する。【解決手段】被処理体Wに対して所定の薄膜を形成するための成膜装置において、処理容器4と、被処理体を複数段に保持する保持手段12と、処理容器の外周に設けられる加熱手段86と、成膜用の複数の異なる原料ガスを混合させて混合ガスを形成する混合タンク部50と、混合ガスを処理容器内へ供給する混合ガスノズル部30と、混合ガスと反応する反応性ガスを処理容器内へ供給する反応性ガスノズル部28と、混合ガスと反応性ガスとを交互に且つ間欠的に処理容器内へ供給するように前記混合ガスと反応性ガスの供給を制御する制御手段60とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被処理体に対して所定の薄膜を形成するための成膜装置において、 真空引き可能になされた縦型の筒体状の処理容器と、 前記被処理体を複数段に保持して前記処理容器内に挿脱される保持手段と、 前記処理容器の外周に設けられる加熱手段と、 成膜用の複数の異なる原料ガスを混合させて混合ガスを形成する混合タンク部と、 前記混合タンク部からの混合ガスを前記処理容器内へ供給する混合ガスノズル部と、 前記混合ガスと反応する反応性ガスを前記処理容器内へ供給する反応性ガスノズル部と、 前記混合ガスと前記反応性ガスとを交互に且つ間欠的に前記処理容器内へ供給するように前記混合ガスと前記反応性ガスの供給を制御する制御手段と、 を備えたことを特徴とする成膜装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/318
FI (3件)：
H01L21/31 C ,  C23C16/52 ,  H01L21/318 B
Fターム (52件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA38 ,  4K030BA41 ,  4K030BA49 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030HA15 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AB33 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB02 ,  5F045BB04 ,  5F045DP19 ,  5F045EE04 ,  5F045EE05 ,  5F045EE19 ,  5F045EH04 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC09 ,  5F058BC11 ,  5F058BC12 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF26 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-141045   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • 基板処埋装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-295323   出願人：株式会社日立国際電気
  • 常圧CVD装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-214896   出願人：山形日本電気株式会社
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