特許
J-GLOBAL ID：200903060964946300

半導体装置及びその製造方法並びに半導体チツプの実装方法

発明者：
石川 夏也

石川 夏也 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-287534
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124931
出願日： 1994年10月26日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】本発明は、基板上に容易かつ正確に実装し得る半導体装置及びその製造方法並びに半導体チツプの実装方法の実現を目的とする。【構成】半導体チツプの一面全面上に電極又は電極の一部分を避けて熱硬化層を形成すると共に、当該熱硬化層から露出する電極上に熱硬化層よりも低くはんだ層を形成するようにしたことにより、基板上に容易かつ正確に実装し得る半導体装置及びその製造方法を実現できる。またこの後露出した電極上に熱硬化層よりも低くはんだ層を形成し、当該半導体チツプを基板上に位置決めマウントした後、半導体チツプを基板に押しつけながら熱硬化層及び第1及び第2のはんだ層を加熱するようにして熱硬化層を硬化させると共に第1及び第2のはんだ層とを溶融接合するようにしたことにより、基板上に容易かつ正確に実装し得る半導体チツプの実装方法を実現できる。
請求項（抜粋）：
一面に電極が形成された半導体チツプと、上記半導体チツプの電極又は上記電極の一部分を避けて上記一面全面上に形成された、熱硬化物質でなる熱硬化層と、上記熱硬化層から露出する上記半導体チツプの上記電極上に、上記熱硬化層よりも低い高さではんだを積層することにより形成されたはんだ層とを具えることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/02 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H01L 21/92 602 R ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 23/12 L
引用特許：
審査官引用 (4件)
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