特許

J-GLOBAL ID：200903060976146997

薄膜半導体装置の製造方法

発明者： 宮坂 光敏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-273736
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106438
出願日： 1998年09月28日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】低電圧駆動が可能な優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。【解決手段】ゲート絶縁膜形成後に水素を希ガスで希釈した混合気体のプラズマを照射する。

請求項（抜粋）：

絶縁性物質上に形成された半導体膜と、該半導体膜上に形成された絶縁膜とを少なくとも構成要件として有する薄膜半導体装置の製造方法に於いて、半導体膜を形成する第一工程と、絶縁膜を形成する第二工程と、該半導体膜と該絶縁膜に水素活性種を照射する第三工程とを含み、該水素活性種は希ガスと水素含有気体との混合気体から成るプラズマにて生成される事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 29/78 617 V ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/316 X

Fターム (59件)：

2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA43 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB38 ,  2H092JB54 ,  2H092JB57 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092KB14 ,  2H092KB24 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA27 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA13 ,  2H092NA24 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092PA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BH15 ,  5F058BH16 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02 ,  5F103AA10 ,  5F103BB23 ,  5F103DD16 ,  5F103DD27 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103KK10 ,  5F103LL13 ,  5F103PP20 ,  5F103RR10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-252088   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜の堆積方法及び薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-127166   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-263267   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-050655   出願人：シャープ株式会社