特許
J-GLOBAL ID：200903061045799683
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-285221
公開番号（公開出願番号）：特開平11-120781
出願日： 1997年10月17日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 不揮発性半導体記憶装置のライトプロテクト態様を柔軟に設定する。【解決手段】 制御回路(4)に対し、リセットパワーダウンモード指示信号(/RP)ならびに第1および第2のライトプロテクト信号(/WPおよび/XP)を与え、これらの外部制御信号の状態に、データ書換に対するプロテクト態様を無条件禁止、無条件許可およびロックビット(LB)に従うのいずれかの状態にメモリアレイ(1)のメモリブロックグループ(1br、1pr、1mr)単位で設定する。
請求項（抜粋）：
各々が1以上のメモリブロックを有しかつ各々が属性が異なるデータを不揮発的に格納するための複数のメモリブロック領域、およびデータ書換時、複数の外部制御信号の状態に従って、前記複数のメモリブロックグループのデータ書換に対する保護態様を各前記領域単位で設定するための制御手段を備える、半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 601 P
, G11C 17/00 612 F
