特許

J-GLOBAL ID：200903061076533320

エッチング液、エッチング液及びその結果構造物を用いた導電性配線を含む薄膜トランジスタ基板の製造方法

発明者： 朴 弘 植 ,  金 時 烈 ,  鄭 鍾 鉉 ,  申 原 碩
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-121189
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344939
出願日： 2006年04月25日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：

【課題】銀(Ag)配線用エッチング液を提供すること。また、エッチング液を利用する銀(Ag)配線形成方法を提供すること。さらに、エッチング液を利用する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明により、エッチング液、これを用いた配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。エッチング液は下記化学式1で表示される物質、酢酸アンモニウム及び超純水を含む。 (化学式1) M(OH)XLY (ただし、前記式でMはZn、Sn、Cr、Al、Ba、Fe、Ti、SiまたはBであり、Xは2または3であり、LはH2O、NH3、CN、COR、NH2Rであり、Yは0、1、2または3であり、Rはアルキル基である。)【選択図】図4

請求項（抜粋）：

下記化学式1で表示される物質、酢酸アンモニウム及び超純水を含むことを特徴とするエッチング液。 化学式1 M(OH)XLY (ただし、前記式でMはZn、Sn、Cr、Al、Ba、Fe、Ti、SiまたはBであり、Xは2または3であり、LはH2O、NH3、CN、COR、NH2Rであり、Yは0、1、2または3であり、Rはアルキル基である。)

IPC (7件)：

H01L 21/306 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/321 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/00

FI (9件)：

H01L21/306 F ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 616U ,  H01L21/88 C ,  H01L21/285 S ,  H01L21/28 E ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 338

Fターム (116件)：

2H092GA11 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092MA04 ,  2H092MA17 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB08 ,  4M104BB36 ,  4M104DD15 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD42 ,  4M104DD64 ,  4M104FF18 ,  4M104GG08 ,  4M104HH08 ,  4M104HH16 ,  5F033HH14 ,  5F033HH32 ,  5F033HH35 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ35 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK14 ,  5F033KK32 ,  5F033KK35 ,  5F033KK38 ,  5F033LL06 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX10 ,  5F033XX13 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28 ,  5F043AA21 ,  5F043AA26 ,  5F043AA27 ,  5F043BB14 ,  5F043BB18 ,  5F043GG02 ,  5F110AA03 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HM03 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19 ,  5G435AA01 ,  5G435AA17 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435HH12 ,  5G435KK05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 韓国公開特許第2003-0034402号
  

審査官引用 (5件)

• 透明導電膜を含む積層膜のエッチング液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-320278   出願人：関東化学株式会社
• 多層導電膜のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-177747   出願人：凸版印刷株式会社
• 配線用エッチング液とこれを利用した配線の製造方法及びこれを利用した薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-538812   出願人：サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド
• 配線用エッチング液及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-029921   出願人：三星電子株式会社
• 配線用エッチング液とこれを利用した配線の製造方法及びこれを含む薄膜トランジスタ基板の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-511030   出願人：サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド