特許
J-GLOBAL ID：200903061150182225
化合物半導体混晶の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-092499
公開番号（公開出願番号）：特開平11-268996
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月05日
要約：
【要約】【課題】窒素濃度が高く、かつ結晶性の良い窒素を必須として含むIII-V族化合物半導体混晶(α(β<SB>1-X</SB>N<SB>X</SB>);0<X≦1)の製造方法を提供すること。【解決手段】 III族元素(α)を含む原料ガスと、窒素(N)を含む原料ガスと、窒素以外のV族元素(β)を含む原料ガスを用いて、基板1上に化合物半導体(α(β<SB>1-X</SB>N<SB>X</SB>);0<X≦1)を作成するMOCVD法において、その窒素を含む原料ガスとして、バブラ12cに有機アジド、例えばアジ化エチルEtN<SB>3 </SB>を入れ、気相エピタキシャル成長を行う。EtN<SB>3 </SB>は、吸湿性がないので、半導体性能を低下させる酸素を化合物半導体中に混入させることはない。また、窒素濃度を高める窒素ラジカルは発生させるが、同じく半導体性能を低下させるNH、NH<SB>2 </SB>など不純物を発生させない。よって、窒素濃度が高く、不純物の混入のない化合物半導体を作成することができる。
請求項（抜粋）：
III族元素(α)を含む原料ガスと、窒素(N)を含む原料ガスと、窒素以外の少なくとも1つのV族元素(β)を含む原料ガスを用い、基板上にV族元素として窒素を必須として含むIII-V族化合物半導体混晶(α(β<SB>1-X</SB>N<SB>X</SB>);0<X≦1)をエピタキシャル成長させる方法において、前記窒素を含む原料ガスに、有機アジドを用いることを特徴とするIII-V族化合物半導体混晶(α(β<SB>1-X</SB>N<SB>X</SB>);0<X≦1)の成長方法。
IPC (3件)：
C30B 29/40 502
, H01L 21/205
, H01L 33/00
C30B 29/40 502 B
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
