特許
J-GLOBAL ID：200903061165267553

高温逆バイアステスト条件に耐え得るIII族窒化物電界効果トランジスタ(FET)

発明者：
リチャード ピーター スミス

リチャード ピーター スミス について

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スコット ティー.シェパード

スコット ティー.シェパード について

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アダム ウィリアム サクスラー

アダム ウィリアム サクスラー について

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ウー イーフェン

ウー イーフェン について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-501880
公開番号（公開出願番号）：特表2008-533738
出願日： 2006年01月30日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
約56ボルトのドレイン-ソース間電圧(VDS)、約-8ボルトから約-14ボルトのゲート-ソース間電圧(Vgs)、約140°Cの温度で、少なくとも約10時間の間動作されたとき、約3.0dB未満の電力劣化を有するIII族窒化物ベースの電界効果トランジスタ(FET)が提供される。
請求項（抜粋）：
約56ボルトのドレイン-ソース間電圧(VDS)、約-8ボルトから約-14ボルトのゲート-ソース間電圧(Vgs)、約140°Cの温度で、少なくとも約10時間の間動作したとき、電力劣化が約3.0dB未満であることを特徴とするIII族窒化物ベースの電界効果トランジスタ(FET)。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (21件)：
5F102FA09 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GV05 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (24件)
  • 米国特許第5192987号明細書
  • 米国特許出願第10/849589号明細書
  • 米国特許出願公開第2003/0020092号明細書
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審査官引用 (3件)

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