特許
J-GLOBAL ID：200903088519429187
表面安定化方法、及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
河宮 治
, 山田 卓二
, 中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-131263
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335828
出願日： 2003年05月09日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】窒化ガリウム系の半導体基板の表面にダメージを与えることなく、安定化が可能な表面安定化方法を提供する。【解決手段】触媒化学気相反応装置を用いて、窒化ガリウム系の半導体基板の表面を安定化する方法において、触媒化学気相反応装置内に窒化ガリウム系の半導体基板を配置する工程と、触媒化学気相反応装置内に窒素含有ガスを導入する工程と、窒素含有ガスを触媒反応を用いて分解して、原子状窒素を形成する分解工程と、原子状窒素を半導体基板に接触させて、半導体基板の表面を窒化する工程とを含む。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
触媒化学気相反応装置を用いて、窒化ガリウム系の半導体基板の表面を安定化する方法であって、
触媒化学気相反応装置内に窒化ガリウム系の半導体基板を配置する工程と、
該触媒化学気相反応装置内に窒素含有ガスを導入する工程と、
該窒素含有ガスを触媒反応を用いて分解して、原子状窒素を形成する分解工程と、
該原子状窒素を該半導体基板に接触させて、該半導体基板の表面を窒化する工程とを含むことを特徴とする表面安定化方法。
IPC (4件)：
H01L21/338
, H01L21/318
, H01L21/324
, H01L29/812
H01L29/80 B
, H01L21/318 A
, H01L21/324 C
5F058BA20
, 5F058BB01
, 5F058BC08
, 5F058BF64
, 5F058BG10
, 5F058BJ10
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ10
, 5F102GL04
, 5F102GS04
, 5F102GV06
, 5F102GV08
, 5F102HC01
, 5F102HC11
, 5F102HC19
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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