特許

J-GLOBAL ID：200903061167029803

半導体装置及びその製造方法

発明者： 小田 伸浩 ,  松村 尊信
出願人/特許権者： 株式会社フルヤ金属
代理人 (1件)： 今下 勝博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-123861
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318369
出願日： 2002年04月25日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、FeRAM型若しくはMFMIS-FET型の半導体装置において、下部電極を構成する貴金属結晶粒子の粒内に金属酸化物結晶粒子を分散して析出させた下部電極とすることで、下部電極のヒロックの発生を抑制することである。【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、FeRAM型若しくはMFMIS-FET型の半導体装置において、下部電極を構成する貴金属結晶粒子の粒内に金属酸化物結晶粒子を分散して析出させたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板を含む下地上に順次、下部電極、強誘電体膜及び上部電極とを積層したキャパシタを備えたFeRAM型の半導体装置において、前記下部電極は、該下部電極を構成する貴金属結晶粒子の粒内に金属酸化物結晶粒子を分散して析出させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 444 B ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 444 A

Fターム (20件)：

5F083FR02 ,  5F083FR07 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F101BA62 ,  5F101BD02 ,  5F101BH01 ,  5F101BH16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• バリアを伴う酸化耐熱性金属を用いた複合イリジウムバリア構造およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-149037   出願人：シャープ株式会社
• 半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-301985   出願人：株式会社日立製作所
• 強誘電体キャパシタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-177512   出願人：株式会社東芝