特許
J-GLOBAL ID：200903061212958861
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-058672
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252050
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】【課題】 耐湿性が低下することのない半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 MESFETのゲート電極7、ソース電極6aおよびドレイン電極6bの上面をSiNの保護膜8で覆い、その上面をポリイミド樹脂膜12で覆っている。ポリイミド樹脂膜12上には下地金属層9とAuメッキ膜10からなるソース配線11a、ドレイン配線11bが形成されている。コンタクトホール13a,13bにおいて、ポリイミド樹脂膜12の開口部は保護膜8の開口部よりも大きく形成され、さらにソース配線11aおよびドレイン配線11bは、ポリイミド樹脂膜12の開口部の上縁部を覆うような大きさに形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板または半導体層上に電極が形成され、前記電極を覆うように保護膜が形成され、前記保護膜上の所定箇所に配線層がエッチングを含む工程により形成されてなる半導体装置において、少なくとも前記保護膜における前記電極を覆う段差部上に、前記配線層の形成時に前記保護膜のエッチングを阻止するエッチング阻止層が形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3065
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 21/90 B
, H01L 21/302 J
, H01L 21/90 A
, H01L 29/80 B
