ドープド半導体材料、ドープド半導体材料の製造方法、および半導体デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-177538
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044569
出願日： 2000年06月13日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】原子の秩序化の結果生じる禁制帯幅の減少のような所望しない効果を排除すること。【解決手段】半導体材料中で自由電荷キャリアを提供する第1のドーパントと該半導体材料中で原子の無秩序化を促進する第2のドーパントとを含む半導体材料であって、該第2のドーパント濃度が該半導体材料の全体に亘って実質的に均一である。

請求項（抜粋）：

半導体材料中で自由電荷キャリアを提供する第1のドーパントと該半導体材料中で原子の無秩序化を促進する第2のドーパントとを含む半導体材料であって、該第2のドーパント濃度が該半導体材料の全体に亘って実質的に均一である、半導体材料。

IPC (5件)：

H01S 5/323 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/22 , H01L 21/324

FI (5件)：

H01S 5/323 , H01L 21/203 M , H01L 21/205 , H01L 21/22 P , H01L 21/324 C

引用特許：

審査官引用 (12件)

p型半導体膜および半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-332199 出願人：株式会社東芝
III-V族化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-116645 出願人：シャープ株式会社
半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-335712 出願人：松下電器産業株式会社

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