特許
J-GLOBAL ID：200903061271728853

窒化物半導体発光素子

発明者：
土方 俊樹

土方 俊樹 について

, 
矢野 盛規

矢野 盛規 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-021032
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223741
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 窒化物半導体から横成される発光素子の発光特性およぴ電気特性を向上し、高出力動作や低消費電力動作を実現する。【解決手段】 GaN,InGaNなど窒化物半導体におけるp型伝導体層形成を目的とする手段として、結晶成長時にアクセプタ型不純物とともにドナー型不純物とをとして導入することにより形成したホール濃度の高い成長層を具備した発光素子を提供する。
請求項（抜粋）：
p型ドーパントとn型ドーパントを含有するp型伝導層を有して構成されることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 673
Fターム (41件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA03 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA54 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CB13 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045EB15 ,  5F045EE15 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA24
引用特許：
審査官引用 (3件)

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