特許

J-GLOBAL ID：200903061303558297

酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電性薄膜

発明者： 小原 剛
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 鴨田 哲彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-120516
公開番号（公開出願番号）：特開2005-298306
出願日： 2004年04月15日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】 高い表面平滑性を有するとともに比抵抗の小さい透明導電性薄膜を安定的に形成することを可能とする酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよびこれを用いて得られる透明導電性薄膜を提供する。【解決手段】 タングステンを0.3質量%〜3質量%、チタンを0.05質量%〜2質量%含み、実質的に残部がインジウムおよび酸素からなる酸化インジウム粉末を、炭素容器中に給粉し、焼結温度:750°C〜900°C、焼結圧力:9.8MPa以上の条件で、かつ、Ar圧が0.05MPa以上、大気圧以下であるAr雰囲気中でホットプレスして酸化物焼結体を製造する。得られた酸化物焼結体をスパッタリングターゲットに用いて、スパッタリング法を行うことで、表面が平滑で、かつ、比抵抗の小さい透明導電性薄膜を得ることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

タングステンを0.3質量%〜3質量%、チタンを0.05質量%〜2質量%含み、実質的に残部がインジウムおよび酸素からなり、焼結体密度が6.5/cm3以上であることを特徴とする酸化物焼結体。

IPC (6件)：

C04B35/495 ,  C01G41/00 ,  C04B35/645 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14

FI (6件)：

C04B35/00 J ,  C01G41/00 A ,  C23C14/08 D ,  C23C14/34 A ,  H01B5/14 A ,  C04B35/64 N

Fターム (31件)：

4G030AA16 ,  4G030AA24 ,  4G030AA34 ,  4G030AA61 ,  4G030BA01 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA04 ,  4G030CA07 ,  4G030GA09 ,  4G030GA11 ,  4G030GA23 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  4G030GA29 ,  4G030GA32 ,  4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AC04 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA45 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭61-136954号公報
  
• 特開昭62-202415号公報
  
• 特許第3224396号公報
  

審査官引用 (5件)

• 透明導電性薄膜用ターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法、ディスプレイ用電極材料、有機エレクトロルミネッセンス素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-330058   出願人：住友金属鉱山株式会社
• ターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-015028   出願人：出光興産株式会社
• 特開昭59-204625
  
• 透明導電性薄膜作製用焼結体ターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-382850   出願人：住友金属鉱山株式会社
• 特開昭59-204625