特許

J-GLOBAL ID：200903061358453192

研磨剤用水熱処理コロイダルシリカ

発明者： 前島 邦明 ,  宮部 慎介
出願人/特許権者： 日本化学工業株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-148975
公開番号（公開出願番号）：特開2002-338951
出願日： 2001年05月18日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子等の研磨剤として優れた研磨性能を有し、かつ低コストで製造できるコロイダルシリカを提供すること。【解決手段】 本発明は、単分散コロイダルシリカと活性珪酸をSiO2重量比で1:0.03〜1:0.3の割合で混合し、pH8〜11の条件で水熱処理することを特徴とする研磨剤用コロイダルシリカ及びその製造方法である。このコロイダルシリカは、単分散のシリカ粒子に活性珪酸を高温高圧下で沈着させることにより表面状態が変化したもので、半導体素子等の電子材料の表面研磨加工時の研磨特性が優れている。

請求項（抜粋）：

単分散コロイダルシリカと活性珪酸をSiO2重量比で1:0.03〜1:0.3の割合で混合し、pH8〜11の条件で水熱処理して得られる研磨剤用コロイダルシリカ。

IPC (3件)：

C09K 3/14 550 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622

FI (3件)：

C09K 3/14 550 D ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 B

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058CB05 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 高純度シリカ水性ゾル及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-356433   出願人：日本化学工業株式会社
• 半導体ウェーハーの研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-012869   出願人：日産化学工業株式会社
• 特開昭63-045114
  
• 特開昭63-064911
  
• 大粒径のシリカ粒子を含有するシリカゾルの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-223098   出願人：日産化学工業株式会社