特許
J-GLOBAL ID:200903061372873552

誘電体導波路の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田中 常雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-360288
公開番号(公開出願番号):特開2003-161852
出願日: 2001年11月27日
公開日(公表日): 2003年06月06日
要約:
【要約】【課題】 コアを近接配置でき、平坦な表面が得られる誘電体導波路の製造方法を提示する。【解決手段】 屈折率1.445のガラス基板10上に、6μmの間隔を開けて、厚さ0.5μmのマスク12,14を配置する。RIE法により基板10をエッチングして、深さ6μmの溝16を形成する。この後、ICP-CVD装置により、屈折率1.456のガラスを6μm堆積する。これにより、溝16がガラス18で埋められ、マスク12,14上にも6μm厚のガラス層20,22がそれぞれ形成される。マスク12,14をウエットエッチングにより除去する。マスク12,14の除去後に、上部クラッドとなるガラス層28を堆積する。
請求項(抜粋):
誘電体基板上に所定パターンのマスクを形成するマスク形成工程と、当該基板をエッチングし、所定深さの溝を形成する溝形成工程と、当該基板の屈折率より高い屈折率の第1の誘電体材料を堆積して、当該溝を埋める第1誘電体材料堆積工程と、当該マスク上の当該第1の誘電体材料と共に、当該マスクを除去するマスク除去工程とを具備することを特徴とする誘電体導波路の製造方法。
IPC (3件):
G02B 6/13 ,  C23C 14/10 ,  C23C 16/40
FI (3件):
C23C 14/10 ,  C23C 16/40 ,  G02B 6/12 M
Fターム (25件):
2H047KA03 ,  2H047PA05 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047TA44 ,  2H047TA47 ,  4K029AA09 ,  4K029AA29 ,  4K029BA46 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029EA01 ,  4K029EA02 ,  4K029GA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030DA08 ,  4K030FA04 ,  4K030JA01 ,  4K030JA12 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11
引用特許:
審査官引用 (5件)
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