処理方法及び処理システム

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：金本哲男 , 亀谷美明 , 萩原康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-168649
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033187
出願日： 2004年06月07日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】スキャトロメトリ法により所定処理後の被処理体の表面構造を非破壊で正確に評価する処理方法及び処理システムを提供する。【解決手段】処理システム1は、減圧処理装置10と液処理装置20と構造判別装置30とシステム制御装置40とを備える。減圧処理装置10は、レジストパターンをマスクとしてウェハにエッチング処理を施す。このエッチング処理によりウェハ表面にはポリマ等の不要部位が付着する。液処理装置20は、ウェハ表面に付着した不要部位を除去する。構造判別装置30は、不要部位が除去されたウェハの表面構造をエリプソメトリ法等のスキャトロメトリ法により判別する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理体に所定処理を施す処理工程と、前記所定処理により被処理体の表面に生じた不要部位を除去する不要部位除去工程と、前記不要部位除去工程により不要部位が除去された被処理体の表面構造を評価する表面構造評価工程と、を備える処理方法。

IPC (3件)：

H01L21/66 , G01N21/21 , G01N21/27

FI (4件)：

H01L21/66 Q , H01L21/66 J , G01N21/21 Z , G01N21/27 B

Fターム (22件)：

2G059AA05 , 2G059BB08 , 2G059BB16 , 2G059DD12 , 2G059EE02 , 2G059EE05 , 2G059EE11 , 2G059GG04 , 2G059JJ11 , 2G059JJ13 , 2G059JJ19 , 2G059KK04 , 2G059MM10 , 4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106AA12 , 4M106CA39 , 4M106CA48 , 4M106DH11 , 4M106DH55 , 4M106DH60 , 4M106DJ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-060953 出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法およびそのシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-034489 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置用洗浄液及びそれを用いた半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-342580 出願人：森田化学工業株式会社, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
特許第3287406号

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