特許
J-GLOBAL ID:200903061534000426
積層型圧電セラミックス構造体及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-301453
公開番号(公開出願番号):特開2006-114745
出願日: 2004年10月15日
公開日(公表日): 2006年04月27日
要約:
【課題】 基板材料として、安価なステンレス金属材料の使用が可能で、かつ、圧電特性が優れたPZT厚膜を有する、積層型圧電セラミックス構造体及びその製造方法を得る。【解決手段】 ステンレス金属基板1の上に、中間層を介して積層型圧電セラミックス層が形成された積層型圧電セラミックス構造体であって、前記中間層は、ステンレス金属基板1側に材質がニッケル層2と積層型圧電セラミック側には、材質が銅3との複合体である積層型圧電セラミックス構造体とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ステンレス金属基板の上に、中間層を介して積層型圧電セラミックス層が形成された積層型圧電セラミックス構造体において、前記中間層は、ステンレス金属基板側に材質がニッケルの金属層と、積層型圧電セラミック側には、材質が銅の金属層との複合体であることを特徴とする積層型圧電セラミックス構造体。
IPC (7件):
H01L 41/22
, C04B 35/49
, C23C 28/00
, H01L 41/09
, H01L 41/187
, H01L 41/18
, H01L 41/24
FI (8件):
H01L41/22 Z
, C04B35/49 A
, C23C28/00 B
, H01L41/08 C
, H01L41/08 M
, H01L41/18 101D
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 A
Fターム (29件):
4G031AA04
, 4G031AA05
, 4G031AA11
, 4G031AA12
, 4G031AA19
, 4G031AA28
, 4G031AA32
, 4G031BA10
, 4G031CA07
, 4G031CA08
, 4G031GA02
, 4G031GA06
, 4G031GA08
, 4G031GA10
, 4K044AA03
, 4K044AB02
, 4K044BA06
, 4K044BA10
, 4K044BA12
, 4K044BB04
, 4K044BB11
, 4K044BC02
, 4K044BC14
, 4K044CA13
, 4K044CA14
, 4K044CA23
, 4K044CA29
, 4K044CA51
, 4K044CA53
引用特許: