特許
J-GLOBAL ID：200903061607770667

軟磁性膜及びその製造方法、ならびにこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド

発明者：
矢澤 久幸

矢澤 久幸 について

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金田 吉弘

金田 吉弘 について

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中島 宏明

中島 宏明 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-173895
公開番号（公開出願番号）：特開2001-006931
出願日： 1999年06月21日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 下部コア層及び上部コア層として使用されるNiFe合金膜は、従来では、直流電流を用いた電気メッキ法により、メッキ形成されていたが、この方法であると、飽和磁束密度を上昇させて、なおかつ保磁力を低下させることが困難であった。【解決手段】 Ni-Fe合金膜を、パルス電流を用いた電気メッキ法によりメッキ形成すれば、前記Ni-Fe合金膜の平均結晶粒径を、105Å以下にし、しかもFeの組成比を、60wt%から75wt%に設定することが可能である。このようにしてメッキ形成されたNi-Fe合金膜は、飽和磁束密度が高く、しかも比抵抗が低い。そして、前記Ni-Fe合金膜を、下部コア層5及び/または上部コア層10として使用することにより、高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを形成することができる。
請求項（抜粋）：
組成式が、Ni1-XFeXで示され、平均結晶粒径は、105Å以下であり、しかもFeの組成比Xは、60wt%から75wt%の範囲内であることを特徴とする軟磁性膜。
IPC (3件)：
H01F 10/14 ,  G11B 5/31 ,  H01F 41/26
FI (3件)：
H01F 10/14 ,  G11B 5/31 C ,  H01F 41/26
Fターム (5件)：
5D033BA03 ,  5E049AA01 ,  5E049AA09 ,  5E049BA12 ,  5E049LC06
引用特許：
審査官引用 (12件)
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