特許
J-GLOBAL ID：200903061658304130

電力変換装置

発明者：
野澤 武史

野澤 武史 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-189487
公開番号（公開出願番号）：特開2004-112987
出願日： 2003年07月01日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】電力変換装置を構成する電力用半導体スイッチング素子の駆動損失を低減し、装置の変換効率を向上させる。【解決手段】制御回路3を介してMOSFET素子6をオン,オフさせコンデンサ8の充電を繰り返すチャージポンプ動作により、MOSFET素子5を駆動可能な電圧を確保してスイッチング動作をさせ、電源1から負荷4に電力を供給する電力変換装置において、MOSFET5のゲート・ソース間を、これが最初にオンするまでは低インピーダンス、その後は高インピーダンスとする回路17を設け、装置起動直後のMOSFET6の高速オン等によりMOSFET5が誤オンすることがないように保護するとともに、スイッチング開始後は高インピーダンスにして駆動損失が増大しないようにする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
直流電源間に少なくとも2つの半導体スイッチング素子の直列回路を並列に接続し、これら2つの半導体スイッチング素子のオン,オフ比率を制御して電源から負荷へ電力を供給する電力変換装置において、 前記電力変換装置が起動され一方の半導体スイッチング素子が最初にオンするまでは、その半導体スイッチング素子のゲート・ソース間を低インピーダンスにし、その半導体スイッチング素子がスイッチングを開始した後はゲート・ソース間を高インピーダンスにする保護回路を設け、この保護回路により前記一方の半導体スイッチング素子の誤オンを防止し駆動損失を低減することを特徴とする電力変換装置。
IPC (3件)：
H02M7/48 ,  H02M1/08 ,  H02M3/155
FI (3件)：
H02M7/48 M ,  H02M1/08 A ,  H02M3/155 C
Fターム (27件)：
5H007AA17 ,  5H007CA02 ,  5H007CB04 ,  5H007CB05 ,  5H007CC07 ,  5H007DB03 ,  5H007EA02 ,  5H007FA13 ,  5H007GA01 ,  5H730AA14 ,  5H730AA20 ,  5H730AS04 ,  5H730BB14 ,  5H730BB57 ,  5H730DD04 ,  5H730FG05 ,  5H730XC01 ,  5H730XX04 ,  5H730XX43 ,  5H740AA04 ,  5H740BA12 ,  5H740BB05 ,  5H740BB07 ,  5H740BB08 ,  5H740HH05 ,  5H740KK01 ,  5H740MM00
引用特許：
審査官引用 (4件)
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