特許
J-GLOBAL ID：200903061663148170

メモリの書き込み装置

発明者：
成田 芳弘

成田 芳弘 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (1件)： 守山 辰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-187103
公開番号（公開出願番号）：特開2002-008382
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】 複数のメモリブロックを有してメモリブロック単位でデータが消去されるメモリの書き込み先となるメモリブロックに対するデータ消去開始からデータ書き込み完了までの時間を短くするメモリの書き込み装置を提供する。【解決手段】 記憶領域更新装置1では、データ蓄積手段14が書き込み対象となるデータ(例えば転送データ)の書き込み先となるメモリブロックB1以外のメモリブロックの中でデータ蓄積用のメモリブロックとして割り当てられたメモリブロックB4に当該データを書き込んだ後に、データ書き込み手段14が書き込み先となるメモリブロックB1に記憶されたデータを消去するとともに、データ蓄積用メモリブロックB4に記憶された書き込み対象となるデータを読み出して当該データを書き込み先となるメモリブロックB1に書き込む。
請求項（抜粋）：
データを記憶する複数のメモリブロックを有してメモリブロックに記憶されたデータがメモリブロックを単位として消去されるメモリのメモリブロックに記憶されたデータを消去して当該メモリブロックに書き込み対象となるデータを書き込むメモリの書き込み装置において、書き込み対象となるデータの書き込み先となるメモリブロック以外のメモリブロックの中でデータ蓄積用のメモリブロックとして割り当てられたメモリブロックに書き込み対象となるデータを書き込むデータ蓄積手段と、データ蓄積手段による書き込みが完了したことに応じて、書き込み先となるメモリブロックに記憶されたデータを消去するとともに、データ蓄積用メモリブロックに記憶された書き込み対象となるデータを読み出して当該データを書き込み先となるメモリブロックに書き込むデータ書き込み手段と、を備えたことを特徴とするメモリの書き込み装置。
IPC (5件)：
G11C 16/02 ,  G06F 11/00 ,  G06F 12/00 597 ,  G06F 12/06 520 ,  G06F 12/16 310
FI (5件)：
G06F 12/00 597 U ,  G06F 12/06 520 E ,  G06F 12/16 310 J ,  G11C 17/00 601 C ,  G06F 9/06 630 J
Fターム (10件)：
5B018GA04 ,  5B018HA03 ,  5B018NA06 ,  5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AE05 ,  5B060AA20 ,  5B060CA18 ,  5B060MM00 ,  5B076EA03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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