特許
J-GLOBAL ID:200903095210065551

フラッシュメモリを用いる記憶方法及び記憶制御プログラムを記録した記録媒体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西村 征生
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-335171
公開番号(公開出願番号):特開2001-154926
出願日: 1999年11月25日
公開日(公表日): 2001年06月08日
要約:
【要約】【課題】 フラッシュメモリにデータを書込み又は消去中に電源断等が発生してもデータを失うことをなくする。【解決手段】 データを記憶する領域が第1不揮発面15Aと第2不揮発面15Bとの2面に構成されたフラッシュメモリ15と、バックアップ面16Aを有し、二次電池によりバックアップされているバックアップ用RAM16とを備え、前記第1不揮発面15A及び第2不揮発面15Bの2面の領域と前記バックアップ面16Aの1面の領域とを合わせた計3面の領域にデータを記憶するようにしてなる。
請求項(抜粋):
データを記憶する領域が第1不揮発面と第2不揮発面との2面に構成されたフラッシュメモリと、バックアップ面を有し、二次電池によりバックアップされているバックアップ用RAMとを備え、前記第1不揮発面、第2不揮発面、バックアップ面を合わせた計3面の領域にデータを記憶することを特徴とするフラッシュメモリを用いる記憶方法。
IPC (3件):
G06F 12/16 340 ,  G06F 12/16 310 ,  G06F 12/02 510
FI (3件):
G06F 12/16 340 P ,  G06F 12/16 310 M ,  G06F 12/02 510 A
Fターム (15件):
5B018GA06 ,  5B018HA03 ,  5B018HA04 ,  5B018HA13 ,  5B018KA22 ,  5B018LA01 ,  5B018NA06 ,  5B018RA11 ,  5B060AA02 ,  5B060AA06 ,  5B060AA13 ,  5B060AA14 ,  5B060AB12 ,  5B060AC11 ,  5B060CA17
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • EEPROMのデータチェック方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-006180   出願人:株式会社日立製作所
  • 特開平4-296953
  • メモリ内情報更新方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-044159   出願人:三菱電機株式会社
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審査官引用 (4件)
  • EEPROMのデータチェック方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-006180   出願人:株式会社日立製作所
  • 特開平4-296953
  • メモリ内情報更新方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-044159   出願人:三菱電機株式会社
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