特許
J-GLOBAL ID：200903061668152680
金メッキプリント基板上に装着された半導体素子の封止方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩見谷 周志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-323241
公開番号（公開出願番号）：特開2007-134372
出願日： 2005年11月08日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：
【課題】半導体素子を装着した金メッキプリント基板をシリコーン樹脂で封止する際に十分な接着性を有する半導体素子の封止方法を提供する。【解決手段】金メッキプリント基板に装着した半導体素子を硬化性シリコーン樹脂で被覆し、次いで該硬化性シリコーン樹脂を硬化させる工程を有する半導体素子の封止方法において、前記金メッキプリント基板を予め酸無水物基含有アルコキシシラン若しくはその部分加水分解縮合物又はそれらの組み合わせからなる処理剤で処理する上記封止方法、並びに金メッキプリント基板に装着した半導体素子を硬化性シリコーン樹脂で被覆し、次いで該硬化性シリコーン樹脂を硬化させる工程を有する半導体素子の封止方法において、前記硬化性シリコーン樹脂が酸無水物基含有アルコキシシラン若しくはその部分加水分解縮合物又はそれらの組み合わせからなる処理剤を含有する上記封止方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
金メッキプリント基板に装着した半導体素子を硬化性シリコーン樹脂で被覆し、次いで該硬化性シリコーン樹脂を硬化させる工程を有する半導体素子の封止方法において、
前記金メッキプリント基板を予め酸無水物基含有アルコキシシランもしくはその部分加水分解縮合物またはそれらの組み合わせからなる処理剤で処理する上記封止方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F061AA01
, 5F061BA04
, 5F061CA04
, 5F061CB02
, 5F061CB12
