半導体装置の製造方法および半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-424821
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183788
出願日： 2003年12月22日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】半導体装置を封止する際、ボイドの混入がなく、厚さを精度良くコントロールすることができ、ボンディングワイヤーの断線や接触がなく、半導体チップや回路基板の反りが小さい半導体装置を効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】半導体装置を金型中に載置して、該金型と該半導体装置との間に供給した硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することによりシリコーン硬化物で封止した半導体装置を製造する方法であって、前記硬化性シリコーン組成物が、(A)一分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、(C)白金系触媒、および(D)充填剤から少なくともなり、前記(A)成分と前記(B)成分の少なくとも一方がT単位シロキサンおよび/またはQ単位シロキサンを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体装置を金型中に載置して、該金型と該半導体装置との間に供給した硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することによりシリコーン硬化物で封止した半導体装置を製造する方法であって、前記硬化性シリコーン組成物が、(A)一分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、(C)白金系触媒、および(D)充填剤から少なくともなり、前記(A)成分が、式:RSiO3/2(式中、Rは一価炭化水素基である。)で示されるシロキサン単位および/または式:SiO4/2で示されるシロキサン単位を有するか、前記(B)成分が、式:R'SiO3/2(式中、R'は脂肪族不飽和炭素-炭素結合を有さない一価炭化水素基または水素原子である。)で示されるシロキサン単位および/または式:SiO4/2で示されるシロキサン単位を有するか、または前記(A)と前記(B)成分のいずれもが前記シロキサン単位を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L23/29 , H01L21/56 , H01L23/31

FI (2件)：

H01L23/30 R , H01L21/56 T

Fターム (12件)：

4M109AA01 , 4M109BA03 , 4M109CA22 , 4M109EA10 , 4M109EB11 , 4M109EB18 , 5F061AA01 , 5F061BA03 , 5F061CA22 , 5F061CB02 , 5F061DA01 , 5F061DA15

引用特許：

出願人引用 (3件)

リリースフィルムを用いる樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-048078 出願人：アピックヤマダ株式会社
樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-235669 出願人：アピックヤマダ株式会社
樹脂封止装置及び樹脂封止方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-082911 出願人：アピックヤマダ株式会社

審査官引用 (17件)

硬化性オルガノポリシロキサン組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-321225 出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
硬化性シリコーン組成物および電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-316001 出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
硬化性シリコーン組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-069123 出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社

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