特許
J-GLOBAL ID：200903050372206511

半導体装置の接着方法とそれに使用される接着剤

発明者：
小笠原 宏

小笠原 宏 について


出願人/特許権者：
京セラケミカル株式会社

京セラケミカル株式会社 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-146602
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349561
出願日： 2003年05月23日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【課題】半導体素子の電極パッド上の金属突起と配線基板の配線パターンとの熱共晶による合金形成接続法において、接続信頼性が高く、ボイド発生不良や接続不良が発生しない半導体装置の製造方法とそれ用の接着剤を提供する。【解決手段】電極パッド2上に金属突起3を有する半導体素子1と、電極パッドに相対する配線パターン5を有する配線基板4との間に、微細フィラーを含むエポキシ樹脂系の接着剤6を介在させ、半導体素子上の金属突起と配線基板上の配線パターンを位置合せした後、加熱加圧7し、金属突起と配線パターンを共晶合金形成により電気的接続を得るとともに、接着剤を硬化6′させて、半導体素子と配線基板とを固定する半導体装置の製造方法である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電極パッド上に金属突起を有する半導体素子と、電極パッドに相対する配線パターンを有する配線基板との間に、微細フィラーを含むエポキシ樹脂系の接着剤を介在させ、半導体素子上の金属突起と配線基板上の配線パターンを位置合せした後、加熱加圧し、金属突起と配線パターンを共晶合金形成により電気的接続を得るとともに、接着剤を光もしくは熱により硬化させて、半導体素子と配線基板とを固定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31
FI (2件)：
H01L21/60 311S ,  H01L23/30 R
Fターム (7件)：
4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109EA02 ,  4M109EB12 ,  5F044LL01 ,  5F044LL04 ,  5F044LL11
引用特許：
審査官引用 (6件)
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