特許
J-GLOBAL ID：200903061704787094
半導体装置の表面処理方法及び表面処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-318884
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150754
出願日： 1998年11月10日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 メッキ成分が規制されずに素材露出部分を無くしてメッキ処理し得る生産性の高い半導体装置の表面処理装置を提供すること。【解決手段】 この半導体装置の表面処理装置で使用する無電解メッキ槽10は、外部リード端子が配設された半導体装置本体1を所定数単位で収納器であるトレー2(所定数のものが重ね合わされて積層される)に各外部リード端子が遊離されるように収納した状態で浸漬させて無電解メッキ浴を行わせるための酸又はアルカリ水溶液中に半田濡れ性の優れた金属イオンを存在させて成る無電解メッキ液を蓄えた無電解メッキ浴槽10aと、無電解メッキ浴後の収納器に収納された状態の各半導体装置本体1を洗浄水で洗浄するための2つの洗浄浴槽10b,10cと、洗浄後の収納器に収納された状態の各半導体装置本体1を水切り乾燥させるための水切り乾燥槽10dとがこの順で区切られて隣接配備されて成る。
請求項（抜粋）：
半導体装置本体の所定箇所に所定の寸法で外部リード端子を配設するリード端子配設工程後の半導体装置の表面処理方法において、前記外部リード端子が遊離されるように前記半導体装置本体を収納器に収納した状態で酸又はアルカリ水溶液中に半田濡れ性の優れた金属イオンを存在させて成る無電解メッキ液による無電解メッキ浴を行わせる無電解メッキ浴工程を含むことを特徴とする半導体装置の表面処理方法。
IPC (3件)：
H01L 23/50
, C23C 18/16
, H01L 21/288
H01L 23/50 D
, H01L 23/50 B
, C23C 18/16 B
, H01L 21/288 E
4K022AA02
, 4K022BA17
, 4K022BA21
, 4K022BA32
, 4K022DA01
, 4M104BB08
, 4M104BB36
, 4M104DD53
, 5F067DC10
, 5F067DC12
