半導体発光素子およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-271947
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261395
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】初期劣化率が低くて長寿命で動作電流の経時変化が極めて少なく、発光むらも極めて少ない、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子を実現する。【解決手段】窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、InおよびGaを含む第1の窒化物系III-V族化合物半導体、例えばInGaNからなる活性層7と、第1の窒化物系III-V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III-V族化合物半導体、例えばInGaNからなる中間層8と、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III-V族化合物半導体、例えばp型AlGaNからなるキャップ層8とを順次接触して積層する。

請求項（抜粋）：

InおよびGaを含む第1の窒化物系III-V族化合物半導体からなる活性層と、上記活性層に接した、上記第1の窒化物系III-V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III-V族化合物半導体からなる中間層と、上記中間層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III-V族化合物半導体からなるキャップ層とを有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/205 , H01S 5/22

FI (3件)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/205 , H01S 5/22

Fターム (45件)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB32 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC18 , 5F045AD09 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DA55 , 5F045DA58 , 5F045DA59 , 5F045DA63 , 5F045HA13 , 5F073AA11 , 5F073AA45 , 5F073AA46 , 5F073AA74 , 5F073AA77 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CB10 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073DA22 , 5F073DA25 , 5F073EA19 , 5F073EA20 , 5F073EA28 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

化合物半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-202772 出願人：株式会社東芝
半導体発光装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-020907 出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (1件)

Japanese Journal of Applied Physics Part2, 1997, Vol.36 No.12A, p.L1568-1571

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