特許
J-GLOBAL ID:200903061773984500
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西村 征生
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-272310
公開番号(公開出願番号):特開2004-111656
出願日: 2002年09月18日
公開日(公表日): 2004年04月08日
要約:
【課題】複数個の半導体チップを積層する垂直実装型のマルチチップパッケージにおいても、高い信頼性を確保する.【解決手段】下層半導体チップ3と上層半導体チップ4との間には、伝熱導電板5が介挿されており、かつ、この伝熱導電板5は、ボンディングワイヤ9を介して基板2のグランド配線に接続されている。これにより、伝熱導電板5は、グランド電位に保持され、下層半導体チップ3と上層半導体チップ4との間のノイズの伝播がこの伝熱導電板5で遮られる。このため、例えば、上層半導体チップ4のアナログ回路を流れる信号にノイズが乗って誤動作を引き起こすことが回避される。また、下層半導体チップ3、上層半導体チップ4において発生した熱は、接触箇所を介して伝熱熱導電板5に伝導して放散され、放熱特性を向上させ、動作の安定化に寄与することができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上に複数個の半導体チップが積層されてなる半導体装置であって、
前記基板と最上層の半導体チップとの間に、前記半導体チップで発生した熱を放散させると共に電磁ノイズを遮蔽するための熱伝導性及び導電性を有する少なくとも一つの伝熱導電体が介挿され、前記伝熱導電体は、前記基板の接地電位に保持される接地配線に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L25/065
, H01L25/07
, H01L25/18
FI (1件):
引用特許:
審査官引用 (11件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-314081
出願人:ローム株式会社
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-071908
出願人:新光電気工業株式会社
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集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-326776
出願人:ローム株式会社
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