特許
J-GLOBAL ID：200903032833641063
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-252449
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077297
出願日： 1999年09月07日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 装置サイズを大型化することなく、2つの半導体素子間に誘起されるクロストークノイズを低減する。【解決手段】 第1の半導体素子1と、この第1の半導体素子1に対向状態(フェースダウン)で搭載されるとともに、第1の半導体素子1にバンプ6を介して電気的に接続された第2の半導体素子2と、第1,第2の半導体素子1,2間に介装された導電層7とを備える。
請求項（抜粋）：
第1の半導体素子と、前記第1の半導体素子に対向状態で搭載されるとともに、前記第1の半導体素子にバンプを介して電気的に接続された第2の半導体素子と、前記第1,第2の半導体素子間に介装された導電層とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
